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　　微(wei)軟之(zhi)所以加入(ru)HMCC，是因(yin)為(wei)正在(zai)(zai)考慮如何對應(ying)很可(ke)能(neng)會成為(wei)個人電腦和計(ji)算機性能(neng)提升(sheng)的(de)(de)“內存(cun)瓶頸(jing)”問(wen)(wen)題(ti)。內存(cun)瓶頸(jing)是指隨著微(wei)處理器的(de)(de)性能(neng)通過多(duo)核化(hua)不(bu)斷提升(sheng)，現行架構的(de)(de)DRAM的(de)(de)性能(neng)將無(wu)法(fa)滿足處理器的(de)(de)需要。如果不(bu)解(jie)決這個問(wen)(wen)題(ti)，就會發生即使購買計(ji)算機新(xin)產品，實際性能(neng)也得不(bu)到相應(ying)提升(sheng)的(de)(de)情況。與(yu)之(zhi)相比，如果把(ba)基(ji)于TSV的(de)(de)HMC應(ying)用于計(ji)算機的(de)(de)主存(cun)儲器，數據傳輸速(su)度(du)就能(neng)夠提高到現行DRAM的(de)(de)約15倍，因(yin)此，不(bu)只是微(wei)軟，微(wei)處理器巨頭(tou)美國英特(te)爾等(deng)公司也在(zai)(zai)積極研究采用HMC。

　　其實(shi)，計劃(hua)采用(yong)TSV的并不只是HMC等(deng)DRAM產(chan)品。按照(zhao)半導體廠商的計劃(hua)，在(zai)今后(hou)數年間，從(cong)承擔電(dian)子設(she)備(bei)輸入(ru)(ru)功(gong)能的CMOS傳感器到負責(ze)運算的FPGA和(he)多核處(chu)理(li)器，以及掌管產(chan)品存儲(chu)的DRAM和(he)NAND閃存都將相繼導入(ru)(ru)TSV。如果計劃(hua)如期進(jin)行，TSV將擔負起輸入(ru)(ru)、運算、存儲(chu)等(deng)電(dian)子設(she)備(bei)的主要功(gong)能。